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Micron e Intel premiate al Flash Memory Summit 2011

Tecnologie e prodotti

Micron e Intel ricevono il premio per la tecnologia più Innovativa presentata al Flash Memory Summit 2011

Micron Technology e Intel hanno ricevuto il prestigioso riconoscimento come aziende leader del settore per la tecnologia di processo flash NAND a 20 nanometri (nm). Lo scorso 10 agosto al Flash Memory Summit di Santa Clara, California, il chairman dell’evento Tom Coughlin ha consegnato l’ambito premio per la tecnologia più innovativa ai rappresentati delle due aziende: Glen Hawk, Vice Presidente della Divisione NAND di Micron e Troy Winslow, Direttore Marketing della Divisione Solid State di Intel.
Il dispositivo NAND da 8 gigabyte (GB) a 20nm di Micron e Intel fornisce la massima capacità di memorizzazione in un singolo chip nel più piccolo formato. Prodotto da IM Flash Technologies, la joint venture per le memorie flash NAND di Intel e Micron, il nuovo dispositivo è una svolta per le tecnolgie di processo e di progettazione delle memorie NAND che estende ulteriormente la leadership nel settore della litografia delle due società.
La diminuzione della litografia NAND a questo nodo tecnologico è il metodo ad oggi più efficace per aumentare il rendimento delle memorie NAND, fornendo circa il 50% in più di gigabyte rispetto alla tecnologia attuale. La nuova tecnologia di processo da 20nm è un ulteriore aiuto al raggiungimento dell’obiettivo comune alle due società di favorire un accesso all’informazione istantaneo e più conveniente.
“La crescita della necessità di immagazzinare sempre più dati, a partire dal centro dati fino agli smartphone e ai tablet, crea nuove richieste di prestazioni alla tecnologia flash NAND, in particolare maggiore capacità di memorizzazione in dispositivi più piccoli” dice Glen Hawk, VP della Divisione NAND di Micron. “Micron è orgogliosa di questa tecnologia innovativa che abbiamo sviluppato con Intel, e siamo felici del riconoscimento ricevuto al Flash Memory Summit.
“Il processo tecnologico per le NAND e l’innovazione dei dispositivi sono fondamentali affinché il settore delle memorie Flash fornisca soluzioni convincenti e trainanti per i nuovi sistemi immessi sul mercato, tipo gli hard disk allo stato solido” dice Tom Rampone, Vice Presidente e General Manager del Gruppo Soluzioni Memorie Non-Volatile di Intel. “Siamo felici che il Flash Memory Summit continui a riconoscere l’innovazione e il successo che Intel e Micron conseguono insieme”.
Il dispositivo da 8 GB a 20nm misura appena 118 mm2 e consente una riduzione dal 30 al 40 percento dello spazio utilizzato sulla scheda (a seconda del tipo di package) paragonato ai dispositivi NAND da 8 GB a 25nm. Una riduzione nel layout della board dei sistemi che utilizzato memorie NAND garantisce maggior efficienza di sistema e consente ai produttori di smartphone e tablet di usare extra spazio per miglioramenti al prodotto finale come una batteria più capiente, uno schermo più ampio o l’aggiunta di altri chip per gestire nuove funzionalità.

L’evento internazionale Flash Memory Summit è l’unica conferenza dedicata totalmente alle memorie flash e alle sue applicazioni. E’ destinato a progettisti di sistema, analisti, tecnici di hardware e software, specialisti di marketing di prodotto e marketing della comunicazione, e responsabili commerciali. E’ un evento caratterizzato da un gran numero di forum e tutorial che affrontano temi nuovi e di larghe aspettative nei principali ambiti applicativi: PC, sistemi di storage, elettronica di consumo, con approfondimenti su: prestazioni di sistema, design di prodotto, metodi di caching, metodi di design, software, nuove tecnologie, ricerche di mercato, testing e affidabilità, sicurezza, ecc-. Il summit è ·anche vetrina internazionale per le aziende per presentare i loro ultimi prodotti ed è previsto un riconoscimento pubblico al prodotto piu innovativo per le varie categorie presenti. Per maggiori informazioni, visitare www.flashmemorysummit.com

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